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कारखाना-सीधा मार्फत कम मूल्य
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EPC2034C
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाeGaN®
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिGaNFET (Gallium Nitride)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)200 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस48A (Ta)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)5V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs8mOhm @ 20A, 5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id2.5V @ 7mA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs11 nC @ 5 V
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vgs (अधिकतम)+6V, -4V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds1140 pF @ 100 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)-
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सञ्चालन तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजDie
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प्याकेज / केसDie
