EPC2102

EPC2102

निर्माता

EPC

उत्पादन कोटि

ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays

विवरण

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    eGaN®
  • प्याकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet सुविधा
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    60V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    23A
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    4.4mOhm @ 20A, 5V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    2.5V @ 7mA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    6.8nC @ 5V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    830pF @ 30V
  • शक्ति - अधिकतम
    -
  • सञ्चालन तापमान
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • प्याकेज / केस
    Die
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    Die

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स्टक मा 7109
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
8.01000
लक्षित मुल्य:
कुल:8.01000