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कारखाना-सीधा मार्फत कम मूल्य
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सुरक्षित र गुणस्तर विश्वसनीयता
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EPC2107
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाeGaN®
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकार3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
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fet सुविधाGaNFET (Gallium Nitride)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)100V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस1.7A, 500mA
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds16pF @ 50V, 7pF @ 50V
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शक्ति - अधिकतम-
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सञ्चालन तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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प्याकेज / केस9-VFBGA
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज9-BGA (1.35x1.35)
