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AUIRF7675M2TR
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निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाHEXFET®
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)150 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस4.4A (Ta), 18A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs56mOhm @ 11A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id5V @ 100µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs32 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±20V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds1360 pF @ 25 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)2.7W (Ta), 45W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 175°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजDIRECTFET™ M2
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प्याकेज / केसDirectFET™ Isometric M2
