निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    CoolMOS™
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    900 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    5.1A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    1.2Ohm @ 2.8A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    3.5V @ 310µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    28 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±20V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    710 pF @ 100 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    31W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    PG-TO220 Full Pack
  • प्याकेज / केस
    TO-220-3 Full Pack

IPA90R1K2C3XKSA2 एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 20224
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
1.03140
लक्षित मुल्य:
कुल:1.03140