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निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाCoolMOS™
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प्याकेजTube
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)700 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस4A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs2Ohm @ 1A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id3.5V @ 70µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs7.8 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±20V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds163 pF @ 100 V
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fet सुविधाSuper Junction
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)42W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारThrough Hole
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजPG-TO251-3
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प्याकेज / केसTO-251-3 Stub Leads, IPak
