निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    HEXFET®
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Discontinued at Digi-Key
  • fet प्रकार
    2 P-Channel (Dual)
  • fet सुविधा
    Logic Level Gate
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    30V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    8A
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    21mOhm @ 8A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    2.4V @ 25µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    39nC @ 10V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    1300pF @ 25V
  • शक्ति - अधिकतम
    2W
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • प्याकेज / केस
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    8-SO

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