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IRLHS6276TRPBF
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाHEXFET®
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकार2 N-Channel (Dual)
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fet सुविधाLogic Level Gate
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)20V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस4.5A
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs45mOhm @ 3.4A, 4.5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1.1V @ 10µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs3.1nC @ 4.5V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds310pF @ 10V
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शक्ति - अधिकतम1.5W
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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प्याकेज / केस6-VQFN
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज6-PQFN (2x2)
