निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    HiPerFET™
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    600 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    50A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    73mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    4.5V @ 4mA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    116 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±30V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    4660 pF @ 25 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    660W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    TO-247
  • प्याकेज / केस
    TO-247-3

IXFH50N60X एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 6640
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
8.83067
लक्षित मुल्य:
कुल:8.83067