IXTP1R4N120P

IXTP1R4N120P

निर्माता

Wickmann / Littelfuse

उत्पादन कोटि

ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल

विवरण

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    Polar™
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    1200 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    1.4A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    13Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    4.5V @ 100µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    24.8 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±20V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    666 pF @ 25 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    86W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    TO-220AB
  • प्याकेज / केस
    TO-220-3

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स्टक मा 9082
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
3.70260
लक्षित मुल्य:
कुल:3.70260