निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    *
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    800 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    13A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    -
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    650mOhm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    4V @ 1mA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    225 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    -
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    3700 pF @ 25 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    -
  • सञ्चालन तापमान
    -
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    D3 [S]
  • प्याकेज / केस
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

APT8065SVRG एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 5403
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
10.98000
लक्षित मुल्य:
कुल:10.98000

क्रस सन्दर्भहरू