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FCPF190N60
निर्माता
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाSuperFET® II
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प्याकेजTube
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)600 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस20.2A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs199mOhm @ 10A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id3.5V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs74 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±20V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds2950 pF @ 25 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)39W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारThrough Hole
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजTO-220F
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प्याकेज / केसTO-220-3 Full Pack
