निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    -
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Active
  • डायोड प्रकार
    Silicon Carbide Schottky
  • भोल्टेज - dc उल्टो (vr) (अधिकतम)
    650 V
  • वर्तमान - औसत सुधार (io)
    13A (DC)
  • भोल्टेज - अगाडि (vf) (अधिकतम) @ यदि
    1.75 V @ 8 A
  • गति
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • उल्टो रिकभरी समय (trr)
    0 ns
  • वर्तमान - उल्टो रिसाव @ vr
    200 µA @ 650 V
  • capacitance @ vr, f
    463pF @ 1V, 100kHz
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • प्याकेज / केस
    TO-220-2
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    TO-220-2
  • सञ्चालन तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 175°C

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स्टक मा 14345
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
2.23995
लक्षित मुल्य:
कुल:2.23995