BUK7E11-55B,127

BUK7E11-55B,127

निर्माता

Rochester Electronics

उत्पादन कोटि

ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल

विवरण

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    TrenchMOS™
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Obsolete
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    55 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    75A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    11mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    4V @ 1mA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    37 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±20V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    2.604 pF @ 25 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    157W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    I2PAK
  • प्याकेज / केस
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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