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NTHS2101PT1
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निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखला-
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प्याकेजBulk
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अंश स्थितिObsolete
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fet प्रकारP-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)8 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस5.4A (Tj)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)1.8V, 4.5V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs25mOhm @ 5.4A, 4.5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1.5V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs30 nC @ 4.5 V
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vgs (अधिकतम)±8V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds2.4 pF @ 6.4 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)1.3W (Ta)
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सञ्चालन तापमान-
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजChipFET™
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प्याकेज / केस8-SMD, Flat Lead
