PMBFJ112,215

PMBFJ112,215

निर्माता

Rochester Electronics

उत्पादन कोटि

ट्रान्जिस्टर - jfets

विवरण

PMBFJ112 - N-CHANNEL FET

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    -
  • प्याकेज
    Bulk
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • भोल्टेज - ब्रेकडाउन (v(br)gss)
    40 V
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    40 V
  • वर्तमान - नाली (idss) @ vds (vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • हालको नाली (आईडी) - अधिकतम
    -
  • भोल्टेज - कटअफ (vgs बन्द) @ आईडी
    5 V @ 1 µA
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    6pF @ 10V (VGS)
  • प्रतिरोध - आरडीएस (मा)
    50 Ohms
  • शक्ति - अधिकतम
    300 mW
  • सञ्चालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • प्याकेज / केस
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    SOT-23 (TO-236AB)

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