निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    SIPMOS®
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Obsolete
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    100 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    21A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    80mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    4V @ 44µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    38.4 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±20V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    865 pF @ 25 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    90W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    PG-TO220-3-1
  • प्याकेज / केस
    TO-220-3

SPP21N10 एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 33740
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
0.61000
लक्षित मुल्य:
कुल:0.61000