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TPS1100PWR
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निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखला-
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प्याकेजBulk
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारP-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)15 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस1.27A (Ta)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)2.7V, 10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs180mOhm @ 1.5A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1.5V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs5.45 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)+2V, -15V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds-
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)504mW (Ta)
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सञ्चालन तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज8-TSSOP
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प्याकेज / केस8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
