निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    -
  • प्याकेज
    Tape & Reel (TR)
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    30 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    1.4A (Ta)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    4V, 10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    240mOhm @ 1.4A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    2.5V @ 1mA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    2 nC @ 5 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±20V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    70 pF @ 10 V
  • fet सुविधा
    Schottky Diode (Isolated)
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    1W (Ta)
  • सञ्चालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    TUMT5
  • प्याकेज / केस
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead

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स्टक मा 41853
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