-
-
कारखाना-सीधा मार्फत कम मूल्य
बिचौलिया हटाउन सिधै इलेक्ट्रोनिक्स कारखानासँग काम गर्नुहोस्। कम र छुट मूल्य संग नयाँ मूल
-
सुरक्षित र गुणस्तर विश्वसनीयता
उत्कृष्ट उत्पादन गुणस्तरको लागि गुणस्तर बीमा प्रणाली। समय मा, गुणस्तर घटक को हरेक समय प्रावधान।
-
15 मिलियन भन्दा बढी आविष्कारहरू
100+ शीर्ष प्रसिद्ध वैश्विक निर्माता, 15 मिलियन भन्दा बढी सूचीहरू। स्टक उपलब्ध छ जुन समर्थन छूट मूल्य संग सीधा खरीद गर्न को लागी।
-
ग्राहक मैत्री सेवाहरू
तपाइँको अद्वितीय आवश्यकताहरु को लागी एक स्टप समाधान निजीकृत। 12 भाषाहरूको वेबसाइटमा समर्थन, थप सुविधा र छिटो सेवाहरू।
SSM6J214FE(TE85L,F
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
-
श्रृंखलाU-MOSVI
-
प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
अंश स्थितिActive
-
fet प्रकारP-Channel
-
प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
-
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)30 V
-
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस3.6A (Ta)
-
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)1.8V, 10V
-
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs50mOhm @ 3A, 10V
-
vgs(th) (अधिकतम) @ id1.2V @ 1mA
-
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs7.9 nC @ 4.5 V
-
vgs (अधिकतम)±12V
-
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds560 pF @ 15 V
-
fet सुविधा-
-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम)500mW (Ta)
-
सञ्चालन तापमान150°C
-
माउन्ट प्रकारSurface Mount
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजES6
-
प्याकेज / केसSOT-563, SOT-666
