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TK100E06N1,S1X
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाU-MOSVIII-H
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प्याकेजTube
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)60 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस100A (Ta)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs2.3mOhm @ 50A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id4V @ 1mA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs140 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±20V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds10500 pF @ 30 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)255W (Tc)
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सञ्चालन तापमान150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारThrough Hole
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजTO-220
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प्याकेज / केसTO-220-3
