VS-C20ET07T-M3

VS-C20ET07T-M3

निर्माता

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

उत्पादन कोटि

डायोड - आरएफ

विवरण

SILICON CARBIDE DIODE - TO-220

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    -
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Active
  • डायोड प्रकार
    Schottky - Single
  • भोल्टेज - पीक रिभर्स (अधिकतम)
    650V
  • वर्तमान - अधिकतम
    20 A
  • capacitance @ vr, f
    1.05nF @ 1V, 1MHz
  • प्रतिरोध @ यदि, f
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    119 W
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • प्याकेज / केस
    TO-220-2
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    TO-220AC

VS-C20ET07T-M3 एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 7122
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
8.02000
लक्षित मुल्य:
कुल:8.02000