SI2327DS-T1-GE3

SI2327DS-T1-GE3

निर्माता

Vishay / Siliconix

उत्पादन कोटि

ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल

विवरण

MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    TrenchFET®
  • प्याकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • अंश स्थिति
    Obsolete
  • fet प्रकार
    P-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    200 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    380mA (Ta)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    6V, 10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    2.35Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    4.5V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    12 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±20V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    510 pF @ 25 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    750mW (Ta)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    SOT-23-3 (TO-236)
  • प्याकेज / केस
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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