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SIA413DJ-T1-GE3
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाTrenchFET®
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारP-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)12 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस12A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)1.5V, 4.5V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs29mOhm @ 6.7A, 4.5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs57 nC @ 8 V
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vgs (अधिकतम)±8V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds1800 pF @ 10 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)3.5W (Ta), 19W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजPowerPAK® SC-70-6 Single
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प्याकेज / केसPowerPAK® SC-70-6
