SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

निर्माता

Vishay / Siliconix

उत्पादन कोटि

ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल

विवरण

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    TrenchFET®
  • प्याकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    200 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    7.5V, 10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    75mOhm @ 5.4A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    4V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    21 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±20V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    350 pF @ 100 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    PowerPAK® 1212-8S
  • प्याकेज / केस
    PowerPAK® 1212-8S

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स्टक मा 21794
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
0.96000
लक्षित मुल्य:
कुल:0.96000

क्रस सन्दर्भहरू