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C3M0021120K
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाC3M™
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प्याकेजTube
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिSiCFET (Silicon Carbide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)1200 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस100A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)15V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs28.8mOhm @ 50A, 15V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id3.6V @ 17.7mA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs162 nC @ 15 V
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vgs (अधिकतम)+15V, -4V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds4818 pF @ 1000 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)469W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-40°C ~ 175°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारThrough Hole
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजTO-247-4L
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प्याकेज / केसTO-247-4
