निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    -
  • प्याकेज
    Tape & Reel (TR)
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    20 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    4.8A (Ta)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    2.5V, 4.5V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    38mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    1V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    4.3 nC @ 4.5 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±8V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    400 pF @ 10 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    800mW (Ta)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    SOT-23
  • प्याकेज / केस
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMN2055U-13 एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

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0.07550
लक्षित मुल्य:
कुल:0.07550

क्रस सन्दर्भहरू