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DMN3060LCA3-7
निर्माता
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखला-
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प्याकेजTape & Reel (TR)
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)30 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस3.9A (Ta)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)1.8V, 8V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs60mOhm @ 500mA, 8V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1.1V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs1.677 nC @ 4.5 V
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vgs (अधिकतम)±12V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds192 pF @ 15 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)790mW
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजX4-DSN1006-3
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प्याकेज / केस3-XFDFN
