निर्दिष्टीकरणहरू

• श्रृंखला
  eGaN®
• प्याकेज
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• अंश स्थिति
  Active
• fet प्रकार
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet सुविधा
  GaNFET (Gallium Nitride)
• स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
  80V
• वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
  9.5A, 38A
• rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
  14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
• vgs(th) (अधिकतम) @ id
  2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
• गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
  2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
• इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
  300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
• शक्ति - अधिकतम
  -
• सञ्चालन तापमान
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• माउन्ट प्रकार
  Surface Mount
• प्याकेज / केस
  Die
• आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
  Die