MBRT12030R

MBRT12030R

निर्माता

GeneSiC Semiconductor

उत्पादन कोटि

diodes - rectifiers - arrays

विवरण

DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER

निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    -
  • प्याकेज
    Bulk
  • अंश स्थिति
    Active
  • डायोड कन्फिगरेसन
    1 Pair Common Anode
  • डायोड प्रकार
    Schottky
  • भोल्टेज - dc उल्टो (vr) (अधिकतम)
    30 V
  • वर्तमान - औसत सुधारित (io) (प्रति डायोड)
    120A (DC)
  • भोल्टेज - अगाडि (vf) (अधिकतम) @ यदि
    750 mV @ 60 A
  • गति
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • उल्टो रिकभरी समय (trr)
    -
  • वर्तमान - उल्टो रिसाव @ vr
    1 mA @ 20 V
  • सञ्चालन तापमान - जंक्शन
    -
  • माउन्ट प्रकार
    Chassis Mount
  • प्याकेज / केस
    Three Tower
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    Three Tower

MBRT12030R एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 1853
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
55.60080
लक्षित मुल्य:
कुल:55.60080