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RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाCoolSiC™
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिSiCFET (Silicon Carbide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)1700 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस7.4A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)12V, 15V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs650mOhm @ 1.5A, 15V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id5.7V @ 1.7mA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs8 nC @ 12 V
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vgs (अधिकतम)+20V, -10V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds422 pF @ 1000 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)88W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 175°C (TJ)
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माउन्ट प्रकार-
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजPG-TO263-7
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प्याकेज / केसTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
