निर्दिष्टीकरणहरू

• श्रृंखला
  CoolSiC™
• प्याकेज
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• अंश स्थिति
  Active
• fet प्रकार
  N-Channel
• प्रविधि
  SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
  1.2 kV
• वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
  4.7A (Tc)
• ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
  -
• rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
  468mOhm @ 2A, 18V
• vgs(th) (अधिकतम) @ id
  5.7V @ 1mA
• गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
  5.9 nC @ 18 V
• vgs (अधिकतम)
  +18V, -15V
• इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
  196 pF @ 800 V
• fet सुविधा
  Standard
• शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
  65W (Tc)
• सञ्चालन तापमान
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• माउन्ट प्रकार
  Surface Mount
• आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
  PG-TO263-7-12
• प्याकेज / केस
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA