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IPB65R310CFDATMA2
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निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाCoolMOS™ CFD2
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प्याकेजTape & Reel (TR)
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)650 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस11.4A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs310mOhm @ 4.4A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id4.5V @ 400µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs41 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±20V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds1100 pF @ 100 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)104.2W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजPG-TO263-3
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प्याकेज / केसTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
