निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    CoolMOS™
  • प्याकेज
    Tube
  • अंश स्थिति
    Not For New Designs
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    650 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    9A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    385mOhm @ 5.2A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    3.5V @ 340µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    22 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±20V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    790 pF @ 100 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    83W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    PG-TO220-3
  • प्याकेज / केस
    TO-220-3

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मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
1.53654
लक्षित मुल्य:
कुल:1.53654