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IRF7329TRPBF
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाHEXFET®
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकार2 P-Channel (Dual)
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fet सुविधाLogic Level Gate
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)12V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस9.2A
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs17mOhm @ 9.2A, 4.5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id900mV @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs57nC @ 4.5V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds3450pF @ 10V
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शक्ति - अधिकतम2W
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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प्याकेज / केस8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज8-SO
