-
-
कारखाना-सीधा मार्फत कम मूल्य
बिचौलिया हटाउन सिधै इलेक्ट्रोनिक्स कारखानासँग काम गर्नुहोस्। कम र छुट मूल्य संग नयाँ मूल
-
सुरक्षित र गुणस्तर विश्वसनीयता
उत्कृष्ट उत्पादन गुणस्तरको लागि गुणस्तर बीमा प्रणाली। समय मा, गुणस्तर घटक को हरेक समय प्रावधान।
-
15 मिलियन भन्दा बढी आविष्कारहरू
100+ शीर्ष प्रसिद्ध वैश्विक निर्माता, 15 मिलियन भन्दा बढी सूचीहरू। स्टक उपलब्ध छ जुन समर्थन छूट मूल्य संग सीधा खरीद गर्न को लागी।
-
ग्राहक मैत्री सेवाहरू
तपाइँको अद्वितीय आवश्यकताहरु को लागी एक स्टप समाधान निजीकृत। 12 भाषाहरूको वेबसाइटमा समर्थन, थप सुविधा र छिटो सेवाहरू।
IRLHS6342TRPBF
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
-
श्रृंखलाHEXFET®
-
प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
अंश स्थितिActive
-
fet प्रकारN-Channel
-
प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
-
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)30 V
-
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस8.7A (Ta), 19A (Tc)
-
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)2.5V, 4.5V
-
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
-
vgs(th) (अधिकतम) @ id1.1V @ 10µA
-
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs11 nC @ 4.5 V
-
vgs (अधिकतम)±12V
-
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds1019 pF @ 25 V
-
fet सुविधा-
-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम)2.1W (Ta)
-
सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
-
माउन्ट प्रकारSurface Mount
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज6-PQFN (2x2)
-
प्याकेज / केस6-PowerVDFN
