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APTM100UM60FAG
निर्माता
Roving Networks / Microchip Technology
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखला-
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प्याकेजBulk
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)1000 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस129A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs70mOhm @ 64.5A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id5V @ 15mA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs1116 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±30V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds31100 pF @ 25 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)2272W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारChassis Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजSP6
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प्याकेज / केसSP6
