निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    -
  • प्याकेज
    Tape & Reel (TR)
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    P-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    30 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    4.5V, 10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    9.3mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    3V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    62.3 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±25V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    2706 pF @ 15 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • प्याकेज / केस
    8-PowerWDFN

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