निर्दिष्टीकरणहरू

• श्रृंखला
  HEXFET®
• प्याकेज
  Bulk
• अंश स्थिति
  Active
• fet प्रकार
  N-Channel
• प्रविधि
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
  55 V
• वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
  39A (Tc)
• ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
  10V
• rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
  16.5mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (अधिकतम) @ id
  4V @ 250µA
• गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
  72 nC @ 10 V
• vgs (अधिकतम)
  ±20V
• इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
  1.696 pF @ 25 V
• fet सुविधा
  -
• शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
  3.8W (Ta), 107W (Tc)
• सञ्चालन तापमान
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• माउन्ट प्रकार
  Through Hole
• आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
  TO-262
• प्याकेज / केस
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA