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AUIRLR3705Z
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाHEXFET®
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प्याकेजBulk
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)55 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस42A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)4.5V, 10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs8mOhm @ 42A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id3V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs66 nC @ 5 V
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vgs (अधिकतम)±16V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds2.9 pF @ 25 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)130W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 175°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजD-Pak
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प्याकेज / केसTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
