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निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाPowerTrench®
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प्याकेजBulk
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारP-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)20 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस3.8A (Ta)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)1.5V, 4.5V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs64mOhm @ 2A, 4.5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs25 nC @ 4.5 V
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vgs (अधिकतम)±8V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds1.57 pF @ 10 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)1.9W (Ta)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज6-WLCSP (1.0x1.5)
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प्याकेज / केस6-UFBGA, WLCSP
