निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    QFET®
  • प्याकेज
    Bulk
  • अंश स्थिति
    Obsolete
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    60 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    65A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    10V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    16mOhm @ 32.5A, 10V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    4V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    65 nC @ 10 V
  • vgs (अधिकतम)
    ±25V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    2.41 pF @ 25 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    3.75W (Ta), 150W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    D²PAK (TO-263AB)
  • प्याकेज / केस
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQB65N06TM एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 23625
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
0.88000
लक्षित मुल्य:
कुल:0.88000