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FQI1P50TU
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निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाQFET®
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प्याकेजTube
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अंश स्थितिObsolete
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fet प्रकारP-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)500 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस1.5A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs10.5Ohm @ 750mA, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id5V @ 250µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs14 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±30V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds350 pF @ 25 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)3.13W (Ta), 63W (Tc)
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सञ्चालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारThrough Hole
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजI2PAK (TO-262)
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प्याकेज / केसTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
