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SCT2450KEC
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निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखला-
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प्याकेजTube
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिSiCFET (Silicon Carbide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)1200 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस10A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)18V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs585mOhm @ 3A, 18V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id4V @ 900µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs27 nC @ 18 V
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vgs (अधिकतम)+22V, -6V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds463 pF @ 800 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)85W (Tc)
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सञ्चालन तापमान175°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारThrough Hole
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजTO-247
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प्याकेज / केसTO-247-3
