निर्दिष्टीकरणहरू

  • श्रृंखला
    NexFET™
  • प्याकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • अंश स्थिति
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • प्रविधि
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)
    25 V
  • वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    60A (Tc)
  • ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)
    3V, 8V
  • rds मा (अधिकतम) @ id, vgs
    4mOhm @ 24A, 8V
  • vgs(th) (अधिकतम) @ id
    1.4V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs
    8.4 nC @ 4.5 V
  • vgs (अधिकतम)
    +10V, -8V
  • इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds
    1300 pF @ 12.5 V
  • fet सुविधा
    -
  • शक्ति अपव्यय (अधिकतम)
    74W (Tc)
  • सञ्चालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्ट प्रकार
    Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज
    8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • प्याकेज / केस
    8-PowerTDFN

CSD16327Q3T एक उद्धरण अनुरोध गर्नुहोस्

स्टक मा 16034
मात्रा:
एकाइ मूल्य (सन्दर्भ मूल्य):
1.33000
लक्षित मुल्य:
कुल:1.33000

क्रस सन्दर्भहरू