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SSM3K329R,LF
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाU-MOSIII
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)30 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस3.5A (Ta)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)1.8V, 4V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs126mOhm @ 1A, 4V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1V @ 1mA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs1.5 nC @ 4 V
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vgs (अधिकतम)±12V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds123 pF @ 15 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)1W (Ta)
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सञ्चालन तापमान150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजSOT-23F
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प्याकेज / केसSOT-23-3 Flat Leads
