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SSM6J501NU,LF
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाU-MOSVI
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारP-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)20 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस10A (Ta)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)1.5V, 4.5V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs15.3mOhm @ 4A, 4.5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1V @ 1mA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs29.9 nC @ 4.5 V
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vgs (अधिकतम)±8V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds2600 pF @ 10 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)1W (Ta)
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सञ्चालन तापमान150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज6-UDFNB (2x2)
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प्याकेज / केस6-WDFN Exposed Pad
