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SSM6N58NU,LF
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
विवरण
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखला-
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकार2 N-Channel (Dual)
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fet सुविधाLogic Level Gate, 1.8V Drive
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)30V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस4A
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs84mOhm @ 2A, 4.5V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id1V @ 1mA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs1.8nC @ 4.5V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds129pF @ 15V
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शक्ति - अधिकतम1W
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सञ्चालन तापमान150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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प्याकेज / केस6-WDFN Exposed Pad
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज6-UDFN (2x2)
