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TK7P60W5,RVQ
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाDTMOSIV
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)600 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस7A (Ta)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs670mOhm @ 3.5A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id4.5V @ 350µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs16 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±30V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds490 pF @ 300 V
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fet सुविधाSuper Junction
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)60W (Tc)
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सञ्चालन तापमान150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेजDPAK
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प्याकेज / केसTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
