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TPN1600ANH,L1Q
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
विवरण
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
RFQ इमेल: [email protected] or अनलाइन सोधपुछ
निर्दिष्टीकरणहरू
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श्रृंखलाU-MOSVIII-H
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प्याकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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अंश स्थितिActive
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fet प्रकारN-Channel
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प्रविधिMOSFET (Metal Oxide)
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स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss)100 V
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वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस17A (Tc)
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ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन)10V
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rds मा (अधिकतम) @ id, vgs16mOhm @ 8.5A, 10V
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vgs(th) (अधिकतम) @ id4V @ 200µA
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गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs19 nC @ 10 V
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vgs (अधिकतम)±20V
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इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds1600 pF @ 50 V
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fet सुविधा-
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शक्ति अपव्यय (अधिकतम)700mW (Ta), 42W (Tc)
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सञ्चालन तापमान150°C (TJ)
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माउन्ट प्रकारSurface Mount
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आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज8-TSON Advance (3.3x3.3)
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प्याकेज / केस8-PowerVDFN
